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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/9545

Title: 氮化(鐵/錳/鉻)鎵稀磁半導體薄膜之製備及其磁旋於EELS 之研究
Study of Fabrication of the Ga(Fe/Mn/Cr)N Diluted Magnetic Semiconductor Thin Film and Magnetic Spin
Authors: 黃榮潭
Contributors: NTOU:Institute of Materials Engineering
國立臺灣海洋大學:材料工程研究所
Keywords: 稀磁半導體;電子能量損失譜儀;近邊緣微細結構;磁旋組態
Date: 2007-08
Issue Date: 2011-06-28T07:09:29Z
Abstract: 摘要:III-V 族稀磁半導體摻雜適量之磁性原子,使其同時具有電荷傳輸與電 子自旋(Spin)特性,近年來亦吸引廣泛的注意。藉由開發利用鐵磁性半導體 中電荷載子傳輸與自旋特性,可預期其能對微電子元件提供新的功能性應 用。氮化鎵基稀磁半導體因其蘊有室溫仍呈現鐵磁性之潛力,且有寬能隙、 高溫高功率操作,又能作為可見光和紫外光之光電元件等之優點。其已成 為熱門研究題材。 目前,雖然有許許多多藉由分子束磊晶或離子佈植方式合成氮化鎵稀磁 半導體之研究以被報導,但至今仍少有完整研究關於導入磁性粒子後,磁 性與電性間之相互影響。而磁性原子簇(Cluster)或磁性第二相之影響鑑定亦 莫衷一是,至今也無製成簡單元件之成功案例。此外,由於不同元素及處 於不同鍵結組態的相同元素會有不同的能量損失,被散射的電子通過電子 能量損失譜儀,因損失能量不同會被聚焦或分散至不同位置。此技術,不 僅可以分析材料內部的原子結構並且可以定量材料內部的成分及鍵結。 本計畫先期利用離子佈植方式摻雜錳(Mn)、鐵(Fe)與鉻(Cr)磁性原子, 藉由適當防佈植損傷保護層而合成氮化鎵基稀磁半導體。然後再經不同條 件退火後,製成簡單稀磁場效電晶體(FET)元件,來量測異常霍爾效應,探 討電性與磁性間之關連性。最後藉由穿透式電子顯微鏡暨電子能量損失譜 儀分析材料內部的原子結構及成分,且由近邊緣細微結構 (near-edge-fine-structure)之能譜分析元素鍵結與磁旋組態,並進一步探討磁 性機制。
Relation: NSC96-2221-E019-020
URI: http://ntour.ntou.edu.tw/ir/handle/987654321/9545
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