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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/9404

Title: 藉自旋極化電流操控記憶元之磁化翻轉
Manipulation of Magnetization Switching of Memory Elements by Spin-Polarized Currents
Authors: 楊志信
Contributors: NTOU:Institute of Optoelectronic Sciences
國立臺灣海洋大學:光電科學研究所
Keywords: 自旋移轉力矩;電流誘發磁化翻轉;微磁學模擬;記憶元
Date: 2007-08
Issue Date: 2011-06-28T07:06:41Z
Publisher: 行政院國家科學委員會
Abstract: 摘要:由自旋極化電子入射納米磁石而來的自旋移轉力矩提供一不需外施磁場就能操控 磁化之新穎方法,這對於基礎物理及技術應用是很引人注意的。理論預測顯示自旋移 轉磁化翻轉之翻轉電流將隨鐵磁體之體積減少而降低;因此電流誘發磁化翻轉對磁性 隨機存取記憶體提供一可調尺度化之寫入方案。然而,欲實現此一應用仍有許多議題 需要解決,例如翻轉電流密度閥值須要有效降低;因此全盤瞭解記憶元於自旋移轉力 矩的作用下之磁動態翻轉行為是值得的。在此計畫中我們額外考慮厄斯特場及熱散亂 場,運用微磁學理論以研究記憶元形狀及尺寸、極化層之磁化指向、電流頻率以及脈 衝時間對於翻轉電流閥值以及翻轉時間的效應,其目的為找出記憶元藉自旋移轉力矩 以誘發磁化翻轉最佳化寫入電流的機制。
Relation: NSC96-2112-M019-005
URI: http://ntour.ntou.edu.tw/ir/handle/987654321/9404
Appears in Collections:[光電科學研究所] 研究計畫

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