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Title: 磁性隨機存取記憶體記憶元之場誘發翻轉機制
Field-Induced Switching Mechanism of Memory Elements in MRAM
Authors: 楊志信
Contributors: NTOU:Institute of Optoelectronic Sciences
國立臺灣海洋大學:光電科學研究所
Keywords: 磁化翻轉;微磁學模擬;奈米磁石;磁性隨機存取記憶體
Date: 2005-08
Issue Date: 2011-06-28T07:06:40Z
Publisher: 行政院國家科學委員會
Abstract: 摘要:磁性隨機存取記憶體由於具有FRAM之非揮發性、SRAM高運算速度以及DRAM高記憶密度,有希望成為下一代記憶體之一,因此引起人們極大的注意。對高密度用途之磁性隨機存取記憶體技術,記憶元微小化將面對最大的挑戰問題為高寫入電流與高功率耗損。因為這元件記憶元的基本運作原理為磁化大角度反轉,為了能掌控記憶元的翻轉過程與改善磁性隨機存取記憶體元件的運作,瞭解磁化分佈在兩正交載電流導線產生的磁場下如何改變是極迫切的。在此計劃中,我們將運用微磁學方法以研究記憶元在寫入場脈衝作用下之動態響應。特別地,具披覆導線的寫入場的空間非均勻性對記憶元之磁化過程的效應將被詳細探究,其目的為藉著掌控記憶元之磁化過程與調整記憶元及導線間佈置,找出磁性隨機存取記憶體之寫入電流最佳化的線索。
Relation: NSC94-2112-M019-006
URI: http://ntour.ntou.edu.tw/ir/handle/987654321/9396
Appears in Collections:[光電科學研究所] 研究計畫

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