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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/9389

Title: 磁性隨機存取記憶體記憶元之形狀修飾效應
Effect of Shape Modification for Memory Elements in MRAM
Authors: 楊志信
Contributors: NTOU:Institute of Optoelectronic Sciences
國立臺灣海洋大學:光電科學研究所
Keywords: 磁性隨機存取記憶體;奈米磁石;微磁學模擬;形狀異向性
Date: 2004-08
Issue Date: 2011-06-28T07:06:39Z
Publisher: 行政院國家科學委員會
Abstract: 摘要:由於磁性隨機存取記憶體具有非揮發性、高運算速度以及高記憶密度等優點,一直吸引人們 濃厚的興趣。對磁性隨機存取記憶體技術最大的挑戰議題,為作為記憶元之奈米磁石須具有可重 覆性與一致的翻轉行為,以及低翻轉場。眾所皆知此奈米磁石之磁性只要由其尺寸與形狀支配; 緣此,瞭解形狀對記憶元磁性的影響是極重要的,這將有助於操控記憶元之磁性與增進磁性隋機 存取記憶體元件之性能。在此計劃中,我們將運用微磁學方法以研究藉形狀操作以修飾奈米磁石 之磁性相關的主題。重點放在似小精靈狀記憶元磁性改良的原因,其目的為找出作為更佳性能磁 性隨機存取記憶體之記憶元最佳化尺寸與形狀的線索。
Relation: NSC93-2112-M019-006
URI: http://ntour.ntou.edu.tw/ir/handle/987654321/9389
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