English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 27533/39387
Visitors : 2541179      Online Users : 30
RC Version 4.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Adv. Search
LoginUploadHelpAboutAdminister

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/9347

Title: 奈米半導體製程開發及其物理特性之探討
Process Development and Physical Property Characterization of Nanoscale Semiconductors
Authors: 黃智賢
Contributors: NTOU:Institute of Optoelectronic Sciences
國立臺灣海洋大學:光電科學研究所
Keywords: 奈米半導體;奈米氧化;矽奈米線;平面顯示器;光伏效應;太陽能電池
nanoscaled semiconductor;nano-oxidation;silicon nanowire;flat paneldisplay;photovoltaic effect;solar cell
Date: 2006-08
Issue Date: 2011-06-28T07:06:33Z
Publisher: 行政院國家科學委員會
Abstract: 摘要:本計畫預計以三年時間開發奈米半導體之製程與其物理特性。研究主題包括兩個 方向,分別為:(一)奈米氧化製程技術與特性研究(二)準直矽基奈米線製程及特性研 究。計畫中,也提出許多具體且極具創意與價值的研究方向,許多研究主題都已經有 初步成果。必須強調的是,這些奈米半導體製程與物理性質的研究,其應用包括半導 體製程奈米化、平面顯示器、太陽能電池等,都與未來五年到十年我國所將面臨的重 大危機息息相關,顯示出本計畫研究的價值。
Relation: NSC95-2112-M019-004-MY3
URI: http://ntour.ntou.edu.tw/ir/handle/987654321/9347
Appears in Collections:[光電科學研究所] 研究計畫

Files in This Item:

There are no files associated with this item.



All items in NTOUR are protected by copyright, with all rights reserved.

 


著作權政策宣告: 本網站之內容為國立臺灣海洋大學所收錄之機構典藏,無償提供學術研究與公眾教育等公益性使用,請合理使用本網站之內容,以尊重著作權人之權益。
網站維護: 海大圖資處 圖書系統組
DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback