English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 26988/38789
Visitors : 2347657      Online Users : 34
RC Version 4.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Adv. Search
LoginUploadHelpAboutAdminister

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/9324

Title: III-V氮化物半導體一維奈米結構表面形貌與光電性質的關連性研究
Study of the Correlation between Optical, Electrical Properties and Morphological Properties of III-V Nitride Semiconductor Nanowires and Their Heterosturctures
Authors: 林泰源
Contributors: NTOU:Institute of Optoelectronic Sciences
國立臺灣海洋大學:光電科學研究所
Keywords: 半導體;奈米線;掃描探針顯微術;光電性質表
semiconductors;nanowires;scanning probe microscopy;optical and electricalproperties
Date: 2006-08
Issue Date: 2011-06-28T07:06:30Z
Publisher: 行政院國家科學委員會
Abstract: 摘要:本計畫之主要目的為研究一維III-V 族氮化物半導體奈米線結構的表面形貌與光 電性質之關連性及建立量測系統以便達成目的,本計畫將建立與發展各種具有奈米級空 間解析度,並以原子力顯微術與近場光學為基本原理區分為二類之量測系統。本計畫將 以所發展的量測系統及所執行的研究瞭解半導體在奈米空間尺度下的物理性質與其光 電元件性能之關係。計畫所建立的系統要針對奈米線之導電性、接觸電位、表面能級/ 或界面能級、極化性質及發光性質進行研究。本計畫將建立偏極光調致近場光學掃瞄顯 微術(polarization modulated near field scanning optical microscopy)研究奈米材料的形貌、 結晶程度、光的吸收、極化性質及晶體取向,同時發展照光式之導電式原子力顯微術 (conductive-AFM)、電力顯微術(electrostatic force microscopy)與掃瞄電容顯微術(scanning capacitance microscopy)。本計畫所發展之以掃瞄探針顯微術(scanning probe microscopy) 為基礎之量測系統將應用於研究以奈米線結構所製作之光電元件。
Relation: NSC95-2112-M019-007-MY3
URI: http://ntour.ntou.edu.tw/ir/handle/987654321/9324
Appears in Collections:[光電科學研究所] 研究計畫

Files in This Item:

There are no files associated with this item.



All items in NTOUR are protected by copyright, with all rights reserved.

 


著作權政策宣告: 本網站之內容為國立臺灣海洋大學所收錄之機構典藏,無償提供學術研究與公眾教育等公益性使用,請合理使用本網站之內容,以尊重著作權人之權益。
網站維護: 海大圖資處 圖書系統組
DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - Feedback