National Taiwan Ocean University Institutional Repository:Item 987654321/51749
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 27320/39164
造访人次 : 2475573      在线人数 : 36
RC Version 4.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 进阶搜寻

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/51749

题名: A High Breakdown-Voltage SiCNSi Heterojunction Diode for High-Temperature Applications
作者: S.F. Ting
Y.K. Fang
W.T. Hsieh
Y.S. Tsair
C.N. Chang
C.S. Lin
M.C. Hsieh
H.C. Chiang
J.J. Ho
贡献者: 國立臺灣海洋大學:電機工程學系
关键词: Heterojunctions
Diodes
Substrates
Temperature
Semiconductor films
Leakage current
Chemical vapor deposition
Optical films
Crystallization
Electric resistance
日期: 2002-08-07
上传时间: 2018-12-21T07:18:15Z
出版者: IEEE Electron Device Letters
摘要: Abstract: Cubic crystalline p-SiCN films are deposited on n-Si[100] substrates to form SiCN/Si heterojunction diodes (HJDs) with a rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) technique. The developed SiCN/Si HJDs exhibit good rectifying properties up to 200/spl deg/C. At room temperature, the reverse breakdown voltage is more than 29 V at the leakage current density of 1.2/spl times/10/sup -4/ A/cm/sup 2/. Even at 200/spl deg/C, the typical breakdown voltage of SiCN/Si HJDs is still preserved about 5 V at the leakage current density of 1.47/spl times/10/sup -4/ A/cm/sup 2/. These properties are better than the /spl beta/-SiC on Si HJDs for high temperature applications.
關聯: 23(3) pp.142-144
URI: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/51749
显示于类别:[電機工程學系] 期刊論文

文件中的档案:

档案 描述 大小格式浏览次数
index.html0KbHTML16检视/开启


在NTOUR中所有的数据项都受到原著作权保护.

 


著作權政策宣告: 本網站之內容為國立臺灣海洋大學所收錄之機構典藏,無償提供學術研究與公眾教育等公益性使用,請合理使用本網站之內容,以尊重著作權人之權益。
網站維護: 海大圖資處 圖書系統組
DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈