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題名: The Growth and Characterization of ZnSe Epilayers Grown by VPE and MOCVD
作者: Y. K. Su
C. C. Chang
貢獻者: 國立臺灣海洋大學:電機工程學系
日期: 1988
上傳時間: 2018-12-12T07:14:03Z
出版者: Progress in Crystal Growth and Characterization of materials
摘要: Abstract: Zinc selenide (ZnSe) is a useful semiconductor for homojunction or heterojunction optoelectronic devices. In this paper we review the fabrication techniques of vapor phase epitaxy (VPE) and metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) for the growth of ZnSe epilayers. These techniques can play important roles in achieving ZnSe blue light-emitting devices. Recent and future trends in growing these devices are also reviewed and studied.
關聯: 17(4) pp.241-263
顯示於類別:[電機工程學系] 期刊論文


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