National Taiwan Ocean University Institutional Repository:Item 987654321/51547
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题名: A New Process for the Fabrication of Silicon-On-Insulator Structures by Using Porous Silicon
作者: C. C. Chang
L. C. Chen
贡献者: 國立臺灣海洋大學:電機工程學系
关键词: Silicon on insulator
Porous silicon
日期: 1997-09
上传时间: 2018-12-06T08:14:41Z
出版者: Materials Letters,
摘要: Abstract: This paper proposes a simplified fabrication process of silicon on insulator (SOI) structures by means of the current density controlling (CDC) method to construct the SOI structure and thereby reducing the complexity of the SOI structure fabrication process in conventional integrated circuit (IC) fabrication.
關聯: 32(4) pp.287-290
URI: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/51547
显示于类别:[電機工程學系] 期刊論文

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