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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/49618

Title: 場效電晶體通道厚度的最佳化對於氫氣感測特性的增進
Enhancement the Sensing Property of Hydrogen on FET with Channel Thickness Optimization
Authors: Bai, Sheng-Hao
白昇儫
Contributors: NTOU:Department of Electrical Engineering
國立臺灣海洋大學:電機工程學系
Keywords: 氫氣感測;變晶性高電子遷移率電晶體;場效應電晶體;蕭特基能障;通道厚度
Hydrogen sensor;HEMT;Field effect transistor;Schottky barrier;the channel thickness
Date: 2014
Issue Date: 2018-08-22T07:09:16Z
Abstract: 由於鈀金屬對於氫氣的優越觸媒特性以及高電子移動率場效電晶體極佳放大器功能和穩定成熟的半導體製程技術,所以在本論文中,我們利用分子束磊晶法成長砷化鎵/砷化銦鋁/砷化銦鎵研製變晶性高電子遷移率電晶體,藉由砷化銦鋁改變銦含量來作為漸變緩衝層從砷化鎵基板延伸至砷化銦鋁/砷化銦鎵主動層,調和晶格匹配之應力,其中使用了線性漸變與反轉步級緩衝層等。 我們利用高銦含量之砷化銦鎵材料為傳導層,獲得良好的傳輸特性,藉由單平面摻雜層之設計,不僅使通道具備較佳的載子侷限力,亦可降低雜質散射的影響。結構上使用能隙相差較大之異質接面,產生二維電子雲提升載子侷限力。 我們製備三種不同蝕刻時間鈀閘極變晶性高電子移動率電晶體作為氫氣感測器,並探討不同濃度條件下穩態和暫態響應的電性分析與氫氣感測特性。
URI: http://ethesys.lib.ntou.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0010153087.id
http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/49618
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