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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/48233

Title: 巨磁阻讀取磁頭元件之奈米分析
Authors: 黃榮潭
江正誠
林智仁
陳福榮
開執中
Contributors: 國立臺灣海洋大學:光電與材料科技學系
Date: 2003-01
Issue Date: 2018-08-20T01:57:56Z
Publisher: 材料科學與工程
Abstract: 摘要: Cap/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/Ru/CoFe/NiFe/NiMn/seed layer
自旋閥讀取磁頭在熱應力測試200℃,1000小時之後,利用高分辨穿透式電子顯微鏡結合奈米電子束X光能譜及能量損失譜儀研究多層膜之間奈米尺度的交互擴散。利用一個累積積分法用來做高分辨影像處理以分析晶格常數的變化,而爲改善所測得成份分佈之空間解析度,運用一Wiener過瀘器來移除從奈米電子束X光能譜量測中所產生的電子束延展效應。此外,利用能量損失譜儀,從元素分佈萃取去求界面之粗糙度。結合這些分析技術能更清楚顯現在自旋閥元件超薄多層膜間之相互擴散的訊息。成份分佈的分析顯示Ni已擴散至Cu層。分析的結果亦揭示,在自旋結構,Ru層不只是作爲合成反鐵磁層之間隔層而且似乎亦能當作Ni和Mn元素之擴散阻礙層。爲研究自旋閥元件裹組成元素之擴散機制,簡易地利用Matano-Boltzmann方法來探究組成元素之擴散係數。結果發現對於Cu在Co層、Co在Cu層以及Ni在Co層的擴散,晶界擴散是主要的支配機制。
Relation: 35(4) pp.199-206
URI: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/48233
Appears in Collections:[光電科學研究所] 期刊論文

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