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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/42487

Title: QFN封裝之功率放大器散熱分析及改善
Authors: 郭韋宏;田華忠
Contributors: 國立臺灣海洋大學:機械與機電工程學系
Keywords: 功率放大器;數值模擬;電子散熱
Date: 2016
Issue Date: 2017-05-15T03:19:53Z
Publisher: 國立臺灣海洋大學
Abstract: 摘要:本文探討QFN封裝之功率放大器Model A的穩態熱傳表現及改良,以套裝模擬軟體FLOTHERM進行散熱分析,數值模擬數據與委託計畫之廠商提供的熱參數數據進行比較,在自然對流與強制對流之情況下,總熱阻(θ_JA)之值相當吻合,其餘熱參數也大致相符。
吾人探討散熱改善的方式包含以下幾項: 1.晶片穿孔(through wafer vias,TWV)的位置、數量、大小,2.PCB 的散熱通道(Thermal vias)位置、數量、大小,3.Die、Mold Compound與Lead frame的厚度,4.Mold Compound、Die attach與Die材料之熱傳導係數對封裝體最高溫度的影響,5.TWV填入銅或epoxy之影響。將上述各效應,其影響力之強弱,歸納整理為表格,俾利設計之參考。
各參數之效應中, Die的材料影響最大,如果將Die的材料從砷化鎵改成矽,最高溫度可降低10.3°C;而Mold Compound材料影響次之,當Mold Compound材料由k=0.9 W/mK改為k=2.5 W/mK,能使最高溫度降低5.6°C;PCB裏Thermal vias直徑之影響也不小,從0.2mm增大為0.3mm,最高溫度可降低4.5°C。
URI: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/42487
Appears in Collections:[機械與機電工程學系] 博碩士論文

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