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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/33618

Title: 使用電弧回火系統修補多壁奈米碳管之缺陷
Authors: 蔡宗惠
Contributors: 國立臺灣海洋大學:光電科學研究所
Date: 2007-08
Issue Date: 2013-04-25T05:43:07Z
Publisher: 行政院國家科學委員會
Abstract: 摘要:奈米碳管有其獨特的物理、化學及材料性質。近年來各國研究團隊投注極大的人力 與經費用於奈米碳管的生成與運用的研究。成長奈米碳管的技術已臻至成熟,一般而言 使用電弧放電法可得單層與多層奈米碳管,其中多層碳管是直接由石墨經高電流放電後 所得,但產物中亦含有大量非晶碳膜、石墨微粒等雜質,產物良率約為30~50%。使用電 漿輔助氣相沉積法 (CVD) 可以產出大面積之高純度多層碳管,其管徑約為十數奈米並 有較大的內管徑,但由此法所生成之奈米管內有大量的結構缺陷(一般稱為「竹節」結 構),此缺陷多因氮原子置入石墨結構中取代碳原子而破壞了碳六環結構,此缺陷降低 了奈米碳管的導電性,而使其影響奈米碳管運用於微電子元件的可行性。 本計畫著眼於多層奈米碳管之內管壁結構改質。依據前兩年的實驗成果,我們已經 運用微波電漿輔助氣相沈積系統(Microwave plasma enhanced chemical vapor deposition – PE-MWCVD) 及電弧放電系統成功的產生多層及單層奈米碳管,我們使用創新的釤鈷氯 化鹽為催化劑使得成長碳管所需的溫度大幅降低,但MWCVD 所生成之多層碳管亦有 高密度的竹節缺陷,因此我們構想此研究計畫,以MWCVD 所生成之奈米碳管為原料 使用釤鈷鹽催化劑在既有的真空電弧放電系統下改變石墨電極結構而形成高溫度梯度 的退火環境,進而將竹節缺陷修補而生成高品質與高導電性之奈米碳管,同時,我們也 將藉由此製程,進而設計實驗,用以瞭解與分析竹節缺陷修補的機制並探討由觸媒界面 析出碳管壁之過程。
Relation: NSC95-2112-M036-001-MY2
URI: http://ntour.ntou.edu.tw/handle/987654321/33618
Appears in Collections:[光電科學研究所] 研究計畫

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