National Taiwan Ocean University Institutional Repository:Item 987654321/33447
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题名: On-Chip Fabrication of Well-Aligned and Contact-Barrier-Free GaN Nanobridge Devices with Ultrahigh Photocurrent Responsivity
作者: Reui-San Chen;Shiao-Wen Wang;Zon-Huang Lan;Jeff Tsung-Hui Tsai;Chien-Ting Wu;Li-Chyong Chen;Kuei-Hsien Chen;Ying-Sheng Huang;Chia-Chun Chen
贡献者: 國立臺灣海洋大學:光電科學研究所
关键词: gallium nitride;nanobridges;nanowires;photoconductivity;responsivity
日期: 2008-07
上传时间: 2013-04-01T06:24:34Z
出版者: Small
摘要: Abstract:
Building nanobridges: Direct integration of an ensemble of GaN nanowires (n) onto a microchip produces a viable nanobridge (NB) device with good alignment and contact performance, the design of which demonstrates the potential of nanowires for sensor development. These GaN NBs have strong surface-enhanced photoconductivity with ultrahigh responsivity (see graph).
關聯: 4(7), pp.925–929
URI: http://ntour.ntou.edu.tw/handle/987654321/33447
显示于类别:[光電科學研究所] 期刊論文

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