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Title: 氮化鎵奈米線、氧化銦奈米結構及氮化銦製備與光電特性之研究
Authors: Ko-Chih Huang
黃格致
Contributors: NTOU:Institute of Optoelectronic Sciences
國立臺灣海洋大學:光電科學研究所
Keywords: 氮化鎵;氧化銦;氧化銦;奈米線;奈米結構
Date: 2006
Issue Date: 2011-07-04
Abstract: 本論文研究三種類之半導體製備及光電特性,第一部分為氮化鎵奈米線製備及光電特性研究,第二部份為氧化銦奈米結構製備及光電特性研究,第三部份為氮化銦奈米結構製備及光電特性研究。 Ⅰ.氮化鎵奈米線製程及光電特性研究: 本研究利用化學氣相沉積法成長氮化鎵奈米線,並藉由光激螢光,掃描式電子顯微鏡,能量分散式光譜儀,拉曼光譜,X-ray繞射儀,來研究不同成長時間,氮化鎵奈米線之結構與光學特性。實驗結果顯示,不同成長時間之氮化鎵奈米線,其光激螢光峰值能量亦不相同,且峰值能量與奈米線半徑無直接關係,我們發現氧原子的存在,對於能隙大小有相當的影響,我們提出一個模型來解釋氧施體對氮化鎵奈米線光激螢光性質的關係 。 Ⅱ.氧化銦製備及光電特性研究: 我們將硒化銦樣品直接以氧化置換的方式,成長氧化銦奈米結構,在氧化銦的研究,我們發現不同製備溫度其發光機制有所不同,因此我們可以控制成長溫度來調變氧化銦發光波段。 Ⅲ. 氮化銦製備及光電特性研究: 我們將硒化銦樣品以直接以氮化置換的方式,成長氮化銦奈米結構,在氮化銦的研究,我們發現氮化銦晶粒尺寸大小隨製備溫度上升而尺寸變大,由X-ray 繞射結果,發現當置換溫度不同,其繞射選擇定相晶面(preferentially oriented crystal plane)亦隨之改變。
URI: http://ethesys.lib.ntou.edu.tw/cdrfb3/record/#G0M94880007
http://ntour.ntou.edu.tw/ir/handle/987654321/17631
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