National Taiwan Ocean University Institutional Repository:Item 987654321/11328
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 27287/39131
造访人次 : 2441919      在线人数 : 41
RC Version 4.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 进阶搜寻

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/11328

题名: 氣相沈積異質磊晶硒化鋅於矽基板
ZnSe Heteroepitoxial Growth on Si Substrate by VPE
作者: 張忠誠
贡献者: NTOU:Department of Electrical Engineering
國立臺灣海洋大學:電機工程學系
关键词: 硒化鋅;異質磊晶;矽基板
ZnSe;Heteroepitaxial growth;Si substrate
日期: 1993
上传时间: 2011-06-28T08:09:07Z
出版者: 行政院國家科學委員會
摘要: 本計劃之目的在利用矽基板取代砷化鎵基板進 行硒化鋅磊晶製作,以降低成本,同時可配合矽積 體電路技術,對短波長光電元件之研製相當有助 益.最近幾年各種不同的成長磊晶層之方法被用來研 究ZnSe/Si的磊晶成長,本計劃準備以氣相成長法來 成長硒化鋅磊晶層於矽基板,由於硒化鋅和矽之 晶格常數相差約4%,所以在磊晶上必要克服此困難 ,此亦為本計劃之目的.實驗將以二階段長晶的方 法製造兩者間之緩衝層,藉此改變接面雜質,以得 到硒化鋅單晶磊晶層.實驗將分別對基板溫度,成長時間,氫氣流量等磊 晶參數進行研究,以得到利用氣相磊晶成長法於 矽基板上成長硒化鋅磊晶的最佳條件,同時磊晶 所得之樣品將分別測量表面形態,厚度,結構,元素 等特性,以確定磊晶之品質.計劃完成後,對異質接 面磊晶技術之學理應有所貢獻.
關聯: NSC82-0417-E019-010
URI: http://ntour.ntou.edu.tw/ir/handle/987654321/11328
显示于类别:[電機工程學系] 研究計畫

文件中的档案:

没有与此文件相关的档案.



在NTOUR中所有的数据项都受到原著作权保护.

 


著作權政策宣告: 本網站之內容為國立臺灣海洋大學所收錄之機構典藏,無償提供學術研究與公眾教育等公益性使用,請合理使用本網站之內容,以尊重著作權人之權益。
網站維護: 海大圖資處 圖書系統組
DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈