National Taiwan Ocean University Institutional Repository:Item 987654321/11328
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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/11328

Title: 氣相沈積異質磊晶硒化鋅於矽基板
ZnSe Heteroepitoxial Growth on Si Substrate by VPE
Authors: 張忠誠
Contributors: NTOU:Department of Electrical Engineering
國立臺灣海洋大學:電機工程學系
Keywords: 硒化鋅;異質磊晶;矽基板
ZnSe;Heteroepitaxial growth;Si substrate
Date: 1993
Issue Date: 2011-06-28T08:09:07Z
Publisher: 行政院國家科學委員會
Abstract: 本計劃之目的在利用矽基板取代砷化鎵基板進 行硒化鋅磊晶製作,以降低成本,同時可配合矽積 體電路技術,對短波長光電元件之研製相當有助 益.最近幾年各種不同的成長磊晶層之方法被用來研 究ZnSe/Si的磊晶成長,本計劃準備以氣相成長法來 成長硒化鋅磊晶層於矽基板,由於硒化鋅和矽之 晶格常數相差約4%,所以在磊晶上必要克服此困難 ,此亦為本計劃之目的.實驗將以二階段長晶的方 法製造兩者間之緩衝層,藉此改變接面雜質,以得 到硒化鋅單晶磊晶層.實驗將分別對基板溫度,成長時間,氫氣流量等磊 晶參數進行研究,以得到利用氣相磊晶成長法於 矽基板上成長硒化鋅磊晶的最佳條件,同時磊晶 所得之樣品將分別測量表面形態,厚度,結構,元素 等特性,以確定磊晶之品質.計劃完成後,對異質接 面磊晶技術之學理應有所貢獻.
Relation: NSC82-0417-E019-010
URI: http://ntour.ntou.edu.tw/ir/handle/987654321/11328
Appears in Collections:[Department of Electrical Engineering] Research Reports

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