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Please use this identifier to cite or link to this item: http://ntour.ntou.edu.tw:8080/ir/handle/987654321/10245

Title: Burn-In Effect對InGaP/GaAs電晶體訊號放大影響之分析和其等效模型之建立
The Influence of the Burn-in Effect on the Signal Amplification in InGaP/GaAs HBT's and Its Equivalent Circuit Buid-up
Authors: 洪瑞鴻
Contributors: NTOU:Department of Mechanical and Mechatronic Engineering
國立臺灣海洋大學:機械與機電工程學系
Keywords: burn-in effect;非線性電流增益;定時定壓
Date: 2004
Issue Date: 2011-06-28T07:38:13Z
Publisher: 行政院國家科學委員會
Abstract: InGaP/GaAs異質接面雙極性電晶體(HBT)已被廣泛的應用在高頻微波電路系 統內作為功率放大器,但以金屬有機物化學氣相沈積法(MOCVD)成長高碳摻雜 GaAS基極,經常包含著高密度的氫原子雜質而形成[C--H+]0,在外加偏壓影響之 下,少數載子注入將打斷碳氫鍵,使得帶正電之氫離子捕捉注入電子形成H . ,基 於碳受體之釋放相繼使電流增益變大而形成 burn-in effect,此非線性電流增益的變 化會直接影響高頻訊號放大的效應,故深入瞭解 burn-in effect 對高頻訊號放大影 響是有其必要的;另外利用定時定壓(CPVS)之方式,能成功解決重碳摻雜基極因 burn-in effect所產生之非線性電流增益之變化,此方法已被証實可防止非線性電流 增益之重現性,故CPVS可提供為 burn-in effect 對高頻訊號放大之影響作相互比 較,藉此建立 burn-in effect 對電晶體訊號放大影響之等效模型電路。
Relation: NSC93-2213-E019-011
URI: http://ntour.ntou.edu.tw/ir/handle/987654321/10245
Appears in Collections:[機械與機電工程學系] 研究計畫

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